کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7545193 | 1489593 | 2018 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A DC-2.5 GHz high linearity CMOS attenuator in a 0.18µm technology
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی صنعتی و تولید
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: A DC-2.5 GHz high linearity CMOS attenuator in a 0.18µm technology A DC-2.5 GHz high linearity CMOS attenuator in a 0.18µm technology](/preview/png/7545193.png)
چکیده انگلیسی
A CMOS attenuator with high linearity has been designed and measured in a 0.18-µm CMOS process, to be used for a variable gain amplifier of RF wireless transceiver. The design is based on four cascaded Bridge-T attenuator stages that are consecutively activated to adjust the attenuation level and improve linearity. The design operates in the frequency band of DC-2.5 GHz with 2 - 3.5 dB insertion loss and 14 dB maximum attenuation in the entire frequency range. Measured and simulated results are in good agreement over the frequency band of interest. Measured worst case S11 and S22 are -10 and -8.8 dB, respectively, across the frequency band. The measured 1-dB compression point is +22 dBm at maximum-attenuation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Procedia Manufacturing - Volume 22, 2018, Pages 591-597
Journal: Procedia Manufacturing - Volume 22, 2018, Pages 591-597
نویسندگان
Ibrahim L. Abdalla, Hongting Jia, Ramesh K. Pokharel,