کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7700692 | 1496805 | 2018 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Interface engineering with double-network dielectric structure for flexible organic thin film transistors
ترجمه فارسی عنوان
مهندسی رابط با ساختار دی الکتریک دوبعدی برای ترانزیستورهای نازک آلومینیومی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ساختار دو شبکه، سازگاری مکانیکی، انرژی جذب، مهندسی رابط، ترانزیستور فیلم نازک آلومینیوم قابل انعطاف،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
چکیده انگلیسی
Double-network structure used as gate insulator to optimize the mechanical compatibility and adhesion energy between gate insulator and semiconductor layer of flexible OTFT, which can effectively improve the electrical performance and mechanical stability of flexible devices during bending tests.227
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 52, January 2018, Pages 213-221
Journal: Organic Electronics - Volume 52, January 2018, Pages 213-221
نویسندگان
Guoqiang Han, Xiumei Wang, Jun Zhang, Guocheng Zhang, Huihuang Yang, Daobin Hu, Dawei Sun, Xiaomin Wu, Yun Ye, Huipeng Chen, Tailiang Guo,