کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7701750 | 1496836 | 2015 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nonvolatile memory and opto-electrical characteristics of organic memory devices with zinc oxide nanoparticles embedded in the tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum light-emitting layer
ترجمه فارسی عنوان
حافظه بی سیم و ویژگی های اپتیکی الکتریکی دستگاه های حافظه آلی با نانوذرات اکسید روی که در لایه اکسید آلومینیوم تریسی (8 هیدروکسی نینولیناتو) قرار گرفته اند
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
چکیده انگلیسی
The nonvolatile organic memory devices based on the tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum (Alq3) emitting layer embedded with zinc oxide nanoparticles (ZnO-NPs) are reported. An external bias is used to program the ON and OFF states of the device that are separated by a four-orders-of-magnitude difference in conductivity. The conductivity switching is associated with a decrease in bulk resistance and an increase in dielectric constant of the active material. These nanoparticles behave as the charge trapping units, which enable the nonvolatile electrical bistability when biased to a sufficiently high voltage. Moreover, it is found that the location of the ZnO-NPs could affect the memory and opto-electrical characteristics of the devices, which can be attributed to the influence of the ZnO-NPs and diffused Al atoms in the bulk of the Alq3 layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 21, June 2015, Pages 203-209
Journal: Organic Electronics - Volume 21, June 2015, Pages 203-209
نویسندگان
Po-Ching Kao, Chien-Chi Liu, Ting-Yun Li,