کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7833228 | 1503517 | 2018 | 23 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low temperature solution-processed IGZO thin-film transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We reported the low-temperature high performance IGZO TFTs by solution processing. The influence of IGZO composition over broad range on thin films and devices properties were investigated by a wide range of characterization techniques. The schematic of TFT solution-processed IGZO TFTs mobility with different compositions has been obtained. In order to achieve decent TFT performance, the In content should be much high for solution-processed IGZO TFTs. The optimal solution-processed IGZO TFTs with In:Ga:Znâ¯=â¯5:1:1 composition exhibited a large mobility of 9.1â¯cm2â¯Vâ1â¯sâ1, low subthreshold swing of 0.22â¯V/decade, and high on/off ratio of 106 at 300â¯Â°C processing temperature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 455, 15 October 2018, Pages 554-560
Journal: Applied Surface Science - Volume 455, 15 October 2018, Pages 554-560
نویسندگان
Wangying Xu, Luyao Hu, Chun Zhao, Lingjiao Zhang, Deliang Zhu, Peijiang Cao, Wenjun Liu, Shun Han, Xinke Liu, Fang Jia, Yuxiang Zeng, Youming Lu,