کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7834866 | 1503530 | 2018 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photocurrent generation in SnO2 thin film by surface charged chemisorption O ions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report a photocurrent generation mechanism in the SnO2 thin film surface layer by the charged chemisorption O ions on the SnO2 thin film surface induced by O2-annealing. A critical build-in electric field in the SnO2 surface layer resulted from the charged O ions on SnO2 surface prolongs the lifetime and reduces the recombination probability of the photo-excited electron-hole pairs by UV-laser irradiation (266â¯nm) in the SnO2 surface layer, which is the key for the photocurrent generation in the SnO2 thin film surface layer. The critical lifetime of prolonged photo-excited electron-hole pair is calculated to be 8.3â¯ms.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 442, 1 June 2018, Pages 398-402
Journal: Applied Surface Science - Volume 442, 1 June 2018, Pages 398-402
نویسندگان
Po-Ming Lee, Ching-Han Liao, Chia-Hua Lin, Cheng-Yi Liu,