کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7836473 | 1503539 | 2018 | 17 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Energy-band alignment of (HfO2)x(Al2O3)1-x gate dielectrics deposited by atomic layer deposition on β-Ga2O3 (-201)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 433, 1 March 2018, Pages 530-534
Journal: Applied Surface Science - Volume 433, 1 March 2018, Pages 530-534
نویسندگان
Lei Yuan, Hongpeng Zhang, Renxu Jia, Lixin Guo, Yimen Zhang, Yuming Zhang,