کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7838136 | 1504812 | 2018 | 15 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
First-principles study of the atomic and electronic properties of (1â¯0â¯0) stacking faults in BaSnO3 crystal
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 694, 16 February 2018, Pages 65-69
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 694, 16 February 2018, Pages 65-69
نویسندگان
Yuanbin Xue, Wenyuan Wang, Yao Guo,