کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7838469 | 1504814 | 2018 | 34 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Insertion of a pentacene layer into the gold/poly(methyl methacrylate)/heavily doped p-type Si/indium device leading to the modulation of resistive switching characteristics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 692, 16 January 2018, Pages 388-394
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 692, 16 January 2018, Pages 388-394
نویسندگان
Cheng-Chun Hung, Yow-Jon Lin,