کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7838539 1504815 2018 28 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Surface properties of SiO2 with and without H2O2 treatment as gate dielectrics for pentacene thin-film transistor applications
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Surface properties of SiO2 with and without H2O2 treatment as gate dielectrics for pentacene thin-film transistor applications
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 691, January 2018, Pages 141-145
نویسندگان
, ,