کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7874289 | 1509428 | 2011 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photovoltaic performance analysis of organic device based on PTCDA/n-Si heterojunction
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
بیومتریال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Thin films of PTCDA were prepared by thermal evaporation technique. ⺠SEM and XRD were used to study the structure properties of PTCDA thin films. ⺠Effect of temperature and illuminations of both J-V and C-V were studied. ⺠PTCDA is useful material to be used in photovoltaic devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Synthetic Metals - Volume 161, Issues 17â18, September 2011, Pages 1805-1812
Journal: Synthetic Metals - Volume 161, Issues 17â18, September 2011, Pages 1805-1812
نویسندگان
A.A.M. Farag, W.G. Osiris, I.S. Yahia,