کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7903945 | 1510473 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Intra-center and recombination luminescence of bismuth defects in fused and unfused amorphous silica fabricated by SPCVD
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Bi-doped silica (SPCVD) deposited films expose photoluminescence bands at 650 nm and 1400 nm. ⺠650 nm band could be excited intra-center with 532 nm laser and in recombination process under 248 and 193 nm lasers. ⺠Defect responsible for 1400 nm band does not participate in recombination processes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 363, 1 March 2013, Pages 187-192
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 363, 1 March 2013, Pages 187-192
نویسندگان
Anatoly Trukhin, Janis Teteris, Aleksey Bazakutsa, Konstantin Golant,