کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7903945 1510473 2013 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Intra-center and recombination luminescence of bismuth defects in fused and unfused amorphous silica fabricated by SPCVD
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Intra-center and recombination luminescence of bismuth defects in fused and unfused amorphous silica fabricated by SPCVD
چکیده انگلیسی
► Bi-doped silica (SPCVD) deposited films expose photoluminescence bands at 650 nm and 1400 nm. ► 650 nm band could be excited intra-center with 532 nm laser and in recombination process under 248 and 193 nm lasers. ► Defect responsible for 1400 nm band does not participate in recombination processes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 363, 1 March 2013, Pages 187-192
نویسندگان
, , , ,