کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7904019 | 1510473 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Defects characterization in p-i-n a-Si:H photodiode i-layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠The method to determine DB states energy, positions and nature in i-layer ⺠Light induced DB influences the recombination and space charge density in D+ region. ⺠Space charge density minimum shifts toward p-i junction due to blue light induced DB. ⺠a-Si:H PD characteristic transient will be useful for the color detection method.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 363, 1 March 2013, Pages 193-198
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 363, 1 March 2013, Pages 193-198
نویسندگان
Vera GradiÅ¡nik, Antonio LiniÄ,