کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7904019 1510473 2013 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Defects characterization in p-i-n a-Si:H photodiode i-layer
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Defects characterization in p-i-n a-Si:H photodiode i-layer
چکیده انگلیسی
► The method to determine DB states energy, positions and nature in i-layer ► Light induced DB influences the recombination and space charge density in D+ region. ► Space charge density minimum shifts toward p-i junction due to blue light induced DB. ► a-Si:H PD characteristic transient will be useful for the color detection method.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 363, 1 March 2013, Pages 193-198
نویسندگان
, ,