کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7904143 1510478 2012 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of post-annealing on electrical properties of amorphous Ga-doped Zn-Sn-O semiconductor films
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Effects of post-annealing on electrical properties of amorphous Ga-doped Zn-Sn-O semiconductor films
چکیده انگلیسی
► a-GZTO films with a low Ga doping exhibit significant changes in their properties. ► The post-annealing resulted in reduction of subgap states of a-GZTO films. ► The Ga doping contributes to thermal stability of a-GZTO films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 358, Issues 18–19, 15 September 2012, Pages 2616-2619
نویسندگان
, , , , , ,