کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7904143 | 1510478 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of post-annealing on electrical properties of amorphous Ga-doped Zn-Sn-O semiconductor films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠a-GZTO films with a low Ga doping exhibit significant changes in their properties. ⺠The post-annealing resulted in reduction of subgap states of a-GZTO films. ⺠The Ga doping contributes to thermal stability of a-GZTO films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 358, Issues 18â19, 15 September 2012, Pages 2616-2619
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 358, Issues 18â19, 15 September 2012, Pages 2616-2619
نویسندگان
Dong-Ho Kim, Hye-Ri Kim, Jung-Dae Kwon, Gun-Hwan Lee, Juyun Park, Yong-Cheol Kang,