کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7910962 | 1510854 | 2018 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Highly enhanced thermoelectric properties of p-type CuInSe2 alloys by the Vacancy Doping
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Fig. 1 (a)~(c) The schematic diagram of the phonon scattering by grain boundaries and vacancy located inside the crystal; ZT value (d) for Cu1âxIn1âySe2.05 (x = y = 0; x = 0, y = 0.01; x = 0.01, y = 0; x = y = 0.01) bulk samples, the various filled symbols represent the experimental measurements from Yao et al. [13] and Maria et al. [22] (e).256
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 149, May 2018, Pages 88-92
Journal: Scripta Materialia - Volume 149, May 2018, Pages 88-92
نویسندگان
Kang Wang, Peng Qin, Zhen-Hua Ge, Jing Feng,