کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7912355 | 1510890 | 2016 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Disordered dislocation configuration in submicrometer Al crystal subjected to plane strain bending
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Disordered dislocation configuration in submicrometer Al crystal subjected to plane strain bending Disordered dislocation configuration in submicrometer Al crystal subjected to plane strain bending](/preview/png/7912355.png)
چکیده انگلیسی
Bending tests of submicrometer Al pillars were performed in-situ in a transmission electron microscope (TEM). The unique findings are: 1) the Al crystal in the bent region experienced substantial lattice distortion, as well as grain refinement; 2) a disordered dislocation configuration arising from a random distribution of low angle grain boundaries (LAGBs). This observed disordered dislocation configuration is in contrast to the prediction on the basis of the theory of strain gradient plasticity, for bulk materials subjected to plane strain bending.115
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 113, 1 March 2016, Pages 35-38
Journal: Scripta Materialia - Volume 113, 1 March 2016, Pages 35-38
نویسندگان
T. Hu, K. Ma, T.D. Topping, L. Jiang, D. Zhang, A.K. Mukherjee, J.M. Schoenung, E.J. Lavernia,