کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7921183 | 1511746 | 2018 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Semiconducting and electrical properties of thin hybrid films from pyrrolyl- and anilynyl-silicon precursors
ترجمه فارسی عنوان
خواص نیمه هادی و الکتریکی فیلم های هیبرید نازک از پیش سازهای پریلولی و آنیلینیل سیلیکون
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
فیلم هیبرید ارگانیک-غیر ارگانیک، خواص نیمه هادی، خواص الکتریکی، حفاظت در برابر خوردگی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
The semiconducting and electrical properties of as-deposited and ex-situ irradiated hybrid films on FTO and enriched in Cu 2024-T3 Al alloy substrates, using hydrolyzed solutions of pyrrolyl- (PySi) and anilinyl-silicon (AnSi) compounds, were investigated by means of photocurrent (PCS) and electrochemical impedance (EIS) spectroscopies. AnSi based film is p-type semiconducting while PySi is n-type due to OH-Ï interactions and charge pinning by silanol (SiOH). The electrical properties depend on the extent and nature of donor-acceptor complexes developed in solution, as well as on the propensity towards Cu+(Ï-ligand) coordination during the surface treatment step. The aniline derivative is more prone to Cu-Ï(N) complexation, which imparts stability to the buried interface. This, however, turns reactive in the presence of aggressive Clâ due to displacement reactions as the penetration of these species throughout the p-type semiconducting AnSi films is facilitated, contrariwise to the n-type PySi film.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 217, 15 September 2018, Pages 54-62
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 217, 15 September 2018, Pages 54-62
نویسندگان
M. Trueba, S.P. Trasatti,