کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7921918 | 1511755 | 2018 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Role of the substrate on the growth of silicon quantum dots embedded in silicon nitride thin films
ترجمه فارسی عنوان
نقش سوبسترا بر رشد نقطه های کوانتومی سیلیکون که در فیلم های نازک سیلیکون نیترید جاسازی شده است
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
By using a remote plasma enhanced chemical vapor deposition system, we grow a silicon rich silicon nitride thin film on the surface of five different substrates: silicon wafer, fused silica, highly oriented pyrolytic graphite, muscovite mica and potassium chloride. By means of high-resolution transmission electron microscopy we studied the influence that each substrate has on the auto-formation of silicon quantum dots (â¤4.2â¯nm) embedded in the grown film. We conjecture that the growth of the film is carried out by the formation of highly reactive intermediates that are chemisorbed on the substrate surface. We conclude proposing the hypothesis that the substrate surface profile has minimal influence on the growth of a silicon nitride thin film that can embed silicon quantum dots.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 208, 1 April 2018, Pages 61-67
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 208, 1 April 2018, Pages 61-67
نویسندگان
A. RodrÃguez-Gómez, M. Moreno-Rios, R. GarcÃa-GarcÃa, A.L. Pérez-MartÃnez, J. Reyes-Gasga,