کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7923722 | 1511834 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Activation energy and density of states of CdTe thin films from temperature dependent I-V measurements
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Thermally evaporated CdTe films exhibit space charge limited conduction over a temperature range of 220-440 K at higher voltages. ⺠The characteristic temperature is determined as 380 K. ⺠The calculated density of traps distribution is 1.18 Ã 1023 mâ3 eVâ1. ⺠The activation energy of traps determined from the I-V-T measurements is found to be 0.5 eV.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 127, Issues 1â2, 16 May 2011, Pages 296-299
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 127, Issues 1â2, 16 May 2011, Pages 296-299
نویسندگان
Saeed Salem Babkair, Azhar Ahmad Ansari, Najat Mohamed Al-Twarqi,