کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7923814 | 1511834 | 2011 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Role of hydrogen addition in the plasma phase in determining the structural and chemical properties of RF sputtered ZnO films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Effects of H in corporation on ZnO thin films growth and properties. ⺠Modification of the sputtering mechanism according to H2 percentage in the plasma. ⺠Structural changes turns up with variations of the surface and bulk oxide chemistry. ⺠Development of an hydroxide component due to atomic H incorporation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 127, Issues 1â2, 16 May 2011, Pages 364-370
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 127, Issues 1â2, 16 May 2011, Pages 364-370
نویسندگان
Gloria Gottardi, Ruben Bartali, Victor Micheli, Nadhira Laidani, Damiano Avi,