کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7924071 | 1511937 | 2018 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Preparation of high purity nano-silicon powders by direct current arc plasma evaporation method
ترجمه فارسی عنوان
آماده سازی پودرهای نانو سیلیکون با خلوص بالا با روش تبخیر پلاسما با قوس مستقیم
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
پودر نانو سیلیکون، تبخیر پلاسما جریان مستقیم قوس مستقیم، میانگین قطر ذرات، بازده، مکانیزم تخلیه،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
Direct current arc plasma evaporation method was used in this paper for the industrial preparation of high purity and highly-dispersed nano-silicon powders and the development its high-tech nano products. The influence of cathode current, filling pressure, pressure ratio of Hydrogen to Argon (PH2/PAr) on the particle size and the yield of nano-silicon powders was studied by orthogonal design method in experiment. The evaporation mechanism was also discussed in this paper. The results showed that high purity of 99.93â¯wt% was achieved with near spherical shape and cubic crystal structure. The average particle size of nano-silicon powders produced in the process in this paper ranged from 35â¯nm to 63â¯nm with the yield of 9.2â¯gâ¯hâ1-175.2â¯gâ¯hâ1. The mechanism of silicon powders evaporation was discussed in the paper, which led to the findings of high yield attributed to the co-existence of molecular evaporation and boiling evaporation coexist.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 229, March 2018, Pages 6-12
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 229, March 2018, Pages 6-12
نویسندگان
Zhen Li, Junjie Huang, Zhenzhong Zhang, Fangxia Zhao, Yang Wu,