کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7924265 | 1511968 | 2015 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
InAs quantum dots as charge storing elements for applications in flash memory devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
- Catalyst-free growth of InAs quantum dots was carried out on high-k ZrO2.
- Memory device with InAs quantum dots as charge storage nodes are fabricated.
- Superior memory window, low leakage and reasonably good retention were observed.
- Carrier transport phenomena are explained in both program and erase operations.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 198, August 2015, Pages 102-107
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 198, August 2015, Pages 102-107
نویسندگان
Sk Masiul Islam, Pranab Biswas, P. Banerji, S. Chakraborty,