کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7934960 | 1513046 | 2018 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication of cadmium sulfide/p type silicon heterojunction solar cells under 300â¯Â°C with more than 10% efficiency
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی های تجدید پذیر، توسعه پایدار و محیط زیست
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Cadmium sulfide (CdS) film is combined to p-type silicon substrate in order to fabricate heterojunction solar cells. The optimized efficiency with inserting MoO3 layer between cadmium sulfide and silicon reaches 10.64%, with open voltage, short current density and fill factor of 543â¯mV, 28.75â¯mA/cm2 and 68.13% under traditional condition of 300â¯Â°C. Finally, the cell's degradation rate is 5.30% in two months, indicating that this is a stable cell design.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy - Volume 173, October 2018, Pages 635-639
Journal: Solar Energy - Volume 173, October 2018, Pages 635-639
نویسندگان
Bing Gao, Yingwen Zhao, Lun Cai, Peilin Liu, Zongcun Liang, Hui Shen,