کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7936110 | 1513059 | 2018 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Heterojunction solar cells with asymmetrically carrier-selective contact structure of molybdenum-oxide/silicon/magnesium-oxide
ترجمه فارسی عنوان
سلولهای خورشیدی با همبستگی با ساختار تماس نامتقارن حامل انتخابی اکسید مولیبدن / سیلیکون / منیزیم
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
تماس انتخابی حامل، اکسید فلزی، سلول های خورشیدی متفرقه، تبخیر الکترون پرتو،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی های تجدید پذیر، توسعه پایدار و محیط زیست
چکیده انگلیسی
New functional materials that are constantly introduced into carrier-selective contacts (CSCs), which allow one type of carrier passing through while blocking the other type via energy band alignment at contact region, promote the fabrication of crystalline silicon (c-Si) solar cells towards low-temperature and dopant-free. Here, electron-beam-evaporated molybdenum oxide (MoOx) and magnesium oxide (MgOx) are directly deposited upon the front and rear surface of c-Si substrates, respectively, to form CSCs with asymmetric band offset for holes and electrons. Contact resistivity, passivation effect, interfacial structures and chemical states for both MoOx/c-Si and MgOx/c-Si are systematically characterized. Considering good carrier-selectivity at the front and the rear side, the optimum thickness in terms of contact resistivity and photovoltaic performance is 10â¯nm for MoOx and 1.5â¯nm for MgOx, respectively. Finally, an efficiency over 14% for the planar MoOx/c-Si/MgOx heterojunction solar cells is achieved, demonstrating huge economic potential in fabrication procedure over conventional high-temperature diffused homojunction solar cells.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy - Volume 159, 1 January 2018, Pages 704-709
Journal: Solar Energy - Volume 159, 1 January 2018, Pages 704-709
نویسندگان
Jing Yu, Yangming Fu, Liqiang Zhu, Zhenhai Yang, Xi Yang, Li Ding, Yuheng Zeng, Baojie Yan, Jiang Tang, Pingqi Gao, Jichun Ye,