کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7937884 1513102 2015 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Cu2ZnSnSe4 device obtained by formate chemistry for metallic precursor layer fabrication
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی انرژی انرژی های تجدید پذیر، توسعه پایدار و محیط زیست
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Cu2ZnSnSe4 device obtained by formate chemistry for metallic precursor layer fabrication
چکیده انگلیسی
The elemental analysis of the resulting absorber layers revealed a very low carbon content (less than 0.2 wt%), which is believed to be a feature that chemical methods need to have in order to stand out as valuable alternatives to high-vacuum processes in this field. Solar cells with efficiencies of up to 2.39% with Voc of 207 mV, a Jsc of 31.2 mA/cm2 and a fill factor of 37.1% were achieved for these copper-poor CZTSe absorbers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy - Volume 116, June 2015, Pages 287-292
نویسندگان
, , , , , , ,