کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7952484 | 1513716 | 2018 | 25 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High performance piezotronic logic nanodevices based on GaN/InN/GaN topological insulator
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Piezotronic effect on topological insulator has been investigated based on the GaN/InN/GaN quantum well. High performance piezotronic logic units, such as NOT, NOR and NAND, can be designed by using the GaN/InN/GaN topological insulator.276
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nano Energy - Volume 50, August 2018, Pages 544-551
Journal: Nano Energy - Volume 50, August 2018, Pages 544-551
نویسندگان
Minjiang Dan, Gongwei Hu, Lijie Li, Yan Zhang,