کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7956021 | 1513818 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The change in the effective mass of the state density and the mobility of electrons while melting semiconductors being metallized
ترجمه فارسی عنوان
تغییر در توده موثر چگالی حالت و تحرک الکترون در حالی که ذوب شدن نیمه رساناها متالیزه شده است
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
جرم مؤثر، نیمههادی ذوب می شود ژرمانیوم، سیلیکون، در بخش الکترونیک آنتروپی ذوب،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
چکیده انگلیسی
On the basis of the knowledge on electronic part of melting entropy, there was proposed a new method to estimate the effective mass of conducting electrons (mnâ) in the semiconductors melts. On the example of the AIIISb compounds there is shown that melting according to the type semiconductor-metal is accompanied by a sharp increase of the mnâ value. This suggests huge changes in energy spectrum of charge carriers at the phase transitions of this type. The electron mobilities un in liquid and solid phases at the melting temperature were also calculated. The sharp drop of the charge carriers' mobility at melting was shown. We have noticed a correlation in variations of mnâand un at phase transition and concluded that such situation is typical for substances which melt according to the type semiconductor-metal.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Calphad - Volume 44, March 2014, Pages 142-145
Journal: Calphad - Volume 44, March 2014, Pages 142-145
نویسندگان
V.B. Koltsov, M.S. Mikhailova,