کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7957319 | 1513861 | 2018 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
First-principles studies of effects of layer stacking, opposite atoms, and stacking order on two-photon absorption of two-dimensional layered silicon carbide
ترجمه فارسی عنوان
مطالعات اولیه در مورد اثرات لایه سازی، اتمهای مخالف و نظم انباشته بر جذب دو فوتون از کاربید سیلیکون لایه دو بعدی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
لایه انباشته اتمهای مقابل، سفارش پشته جذب دو فوتون، کاربید سیلیکون،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مکانیک محاسباتی
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 151, August 2018, Pages 231-239
Journal: Computational Materials Science - Volume 151, August 2018, Pages 231-239
نویسندگان
You-Zhao Lan,