Topological electronic states of bismuth selenide thin films upon structural surface defects

یک تلاش قابل توجه برای ایجاد یک درک صحیح از ساختار الکترونیکی سطح مقره های توپولوژیکی صورت گرفته است. از اهمیت ویژه ای برخوردار بوده است که یکی از ویژگی های اساسی دولت الکترون های سطح آن است که به انواع مختلف نقص ها و تحریف ها حساس نیستند. در مقاله زیر، براساس محاسبات تئوری تابعی چگالی، این شرایط توپولوژیکی در فیلمهای نازک نازک سلنیوم بیسموت با یک سطح اصلاح شده توسط اعمال ساختاری بررسی می شود. نشان داده شده است که مکان های انرژی و مکانی ایالت های الکترونیکی توپولوژیک بر روی سطح اصلاح شده فیلم به شدت به عنوان یک نتیجه از طبیعت پیوند توپولوژیکی آویزان می شوند. همچنین نشان داده شده است که تمام اسلب های نامتقارن، سرکوب اثر اندازه نازک فیلم و بازگرداندن الکترون های بی رویه دیراک را بر روی سطح ناشتا فیلم نشان می دهد. نتایج به دست آمده برای مهندسی فضای باند موثر در فیلم های نازک از مقره های توپولوژیکی با استفاده از عمل جراحی شیمیایی یا فیزیکی مرتبط است.