کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7961362 | 1513930 | 2013 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The 60° basal dislocation in wurtzite GaN: Energetics, electronic and core structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مکانیک محاسباتی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have carried out computer atomistic simulations, based on an efficient density functional based tight binding method, to investigate the core configurations of the 60° basal dislocation in GaN wurtzite. Our energetic calculations demonstrate that the glide configuration with N polarity is the most energetically favorable over both the glide and the shuffle sets in nitrogen-rich growth conditions. However, in the case of gallium-rich growth conditions, the shuffle configuration with gallium polarity becomes the most favorable. Otherwise, we found that all the four configurations of the 60° basal dislocation introduces both shallow and deep states but the glide configuration with N polarity, which introduce only shallow states.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 79, November 2013, Pages 118-124
Journal: Computational Materials Science - Volume 79, November 2013, Pages 118-124
نویسندگان
I. Belabbas, J. Chen, Ph. Komninou, G. Nouet,