کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
796169 | 902796 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermal expansion of silicon at temperatures up to 1100 °C
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی صنعتی و تولید
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Thermal expansion of CVD single crystal silicon was measured with a push-rod dilatometer up to 1100 °C for different crystallographic orientations of the specimen. Thermal analysis, Laue analysis and X-ray diffraction were used to verify silicon crystal orientation and absence of possible phase transformations. Coefficients of technical thermal expansion have been calculated in this temperature range and their variations with temperature have been demonstrated. These differences might cause anisotropy in thermal stresses, which has been calculated and compared with experimental values of dry-oxidised silicon wafers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Materials Processing Technology - Volume 209, Issue 2, 19 January 2009, Pages 723–727
Journal: Journal of Materials Processing Technology - Volume 209, Issue 2, 19 January 2009, Pages 723–727
نویسندگان
Alexander V. Mazur, Michael M. Gasik,