کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7961748 | 1513932 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Adsorption and pathways of single atomistic processes on TiN (1Â 1Â 1) surfaces: A first principle study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مکانیک محاسباتی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The adsorption and pathways of atomistic processes on TiN (1Â 1Â 1) surfaces were calculated with the first principle, which is based on density functional theory. The pathways of atomistic diffusion involve the diffusion of atoms from the FCC to the HCP site. Results show that diffusion energy of a Ti atom is greater than that of a N atom, whereas the diffusion energy of Si on the Ti layer is less than that of Si on the N layer. Si and N could easily form stable structures while bonding on the N layer. Lastly, Si atoms can stabilize the activity of N atoms while promoting the spread of Ti atoms during deposition.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 77, September 2013, Pages 102-107
Journal: Computational Materials Science - Volume 77, September 2013, Pages 102-107
نویسندگان
Yuan Ren, Xuejie Liu, Xin Tan, Engelbert Westkämper,