| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 7969807 | 1514373 | 2016 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
EBSD characterization of the growth mechanism of SiC synthesized via direct microwave heating
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The formation of 3C-SiC prepared via direct microwave heating follows the mechanism of two-dimension nucleation and laminar growth.246
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Characterization - Volume 114, April 2016, Pages 54-61
Journal: Materials Characterization - Volume 114, April 2016, Pages 54-61
نویسندگان
Jigang Wang, Shan Huang, Song Liu, Zhou Qing,