کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7988168 | 1515612 | 2014 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Grain and grain boundary effects on the frequency and temperature dependent dielectric properties of cobalt ferrite-hafnium composites
ترجمه فارسی عنوان
اثرات مرز دانه و دانه بر خواص دی الکتریک وابسته به فرکانس و دما از ترکیبات فریت-هافونیوم کبالت
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
چکیده انگلیسی
We report on the frequency (f=20 Hz-1 MHz) and temperature (T=300-973 K) dependent dielectric properties of hafnium (Hf) incorporated cobalt ferrite (CoF2âxHfxO4 (CFO-Hf); x=0.00-0.20). The dielectric constant (ε') of CFO-Hf is T-independent at T<450 K, at which point increasing trend prevails. A grain bulk-boundary based two-layer model, where semiconducting-grains separated by insulating-grain boundaries, satisfactorily accounts for ε-T (>450 K) variation. Correspondingly, electrical responses in impedance formalism are attributed to the grain and grain-boundary effects which also accounts for the observed two dielectric-relaxations. The results demonstrate that the dielectric phenomena in CFO-Hf can be tailored by tuning Hf-concentration.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 184, April 2014, Pages 34-39
Journal: Solid State Communications - Volume 184, April 2014, Pages 34-39
نویسندگان
Y.D. Kolekar, L. Sanchez, E.J. Rubio, C.V. Ramana,