کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7989132 1515879 2013 10 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of magnesium silicide thin films on Si(100), Si(111) and SOI substrates during rapid thermal processing
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Growth of magnesium silicide thin films on Si(100), Si(111) and SOI substrates during rapid thermal processing
چکیده انگلیسی
► Mg2Si thin films were grown on silicon and SOI substrates using reactive diffusion. ► The silicidation of magnesium was facilitated by Rapid Thermal Processing. ► The characterization was done by X-ray diffraction and Scanning Electron Microscopy. ► The substrate morphology plays a significant role in Mg2Si formation kinetics. ► The grown magnesium silicide films are more stable on Si(111) substrate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Intermetallics - Volume 32, January 2013, Pages 184-193
نویسندگان
, ,