| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 7989132 | 1515879 | 2013 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												Growth of magnesium silicide thin films on Si(100), Si(111) and SOI substrates during rapid thermal processing
												
											دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												کلمات کلیدی
												
											موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													مهندسی مواد
													فلزات و آلیاژها
												
											پیش نمایش صفحه اول مقاله
												 
												چکیده انگلیسی
												⺠Mg2Si thin films were grown on silicon and SOI substrates using reactive diffusion. ⺠The silicidation of magnesium was facilitated by Rapid Thermal Processing. ⺠The characterization was done by X-ray diffraction and Scanning Electron Microscopy. ⺠The substrate morphology plays a significant role in Mg2Si formation kinetics. ⺠The grown magnesium silicide films are more stable on Si(111) substrate.
											ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Intermetallics - Volume 32, January 2013, Pages 184-193
											Journal: Intermetallics - Volume 32, January 2013, Pages 184-193
نویسندگان
												Iu. Kogut, M.-C. Record,