کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7989132 | 1515879 | 2013 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of magnesium silicide thin films on Si(100), Si(111) and SOI substrates during rapid thermal processing
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Mg2Si thin films were grown on silicon and SOI substrates using reactive diffusion. ⺠The silicidation of magnesium was facilitated by Rapid Thermal Processing. ⺠The characterization was done by X-ray diffraction and Scanning Electron Microscopy. ⺠The substrate morphology plays a significant role in Mg2Si formation kinetics. ⺠The grown magnesium silicide films are more stable on Si(111) substrate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Intermetallics - Volume 32, January 2013, Pages 184-193
Journal: Intermetallics - Volume 32, January 2013, Pages 184-193
نویسندگان
Iu. Kogut, M.-C. Record,