کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8039953 | 1518649 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of electrically-active deep levels in single-crystalline diamond by particle-induced charge transient spectroscopy
ترجمه فارسی عنوان
بررسی سطوح عمیق الکتریکی فعال در الماس تک کریستالی با طیف سنجی گذرا شارژ ناشی از ذرات
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
چکیده انگلیسی
To investigate electrically-active deep levels in high-resistivity single-crystalline diamond, particle-induced charge transient spectroscopy (QTS) techniques were performed using 5.5Â MeV alpha particles and 9Â MeV carbon focused microprobes. For unintentionally-doped (UID) chemical vapor deposition (CVD) diamond, deep levels with activation energies of 0.35Â eV and 0.43Â eV were detected which correspond to the activation energy of boron acceptors in diamond. The results suggested that alpha particle and heavy ion induced QTS techniques are the promising candidate for in-situ investigation of deep levels in high-resistivity semiconductors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 372, 1 April 2016, Pages 151-155
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 372, 1 April 2016, Pages 151-155
نویسندگان
W. Kada, Y. Kambayashi, Y. Ando, S. Onoda, H. Umezawa, Y. Mokuno, S. Shikata, T. Makino, M. Koka, O. Hanaizumi, T. Kamiya, T. Ohshima,