کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8041131 | 1518681 | 2014 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Defect analysis in fast electron irradiated silicon by Hall and magnetoresistivity means
ترجمه فارسی عنوان
تجزیه و تحلیل نقص در سیلیکون تابش الکترون به روش هال و مگنورزیستی معنی دارد
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
مغناطیس پذیری، اثر هال، تحرک حامل، اشعه، خصوصیات آشکارساز،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
چکیده انگلیسی
Two sets of p- and n-conductivity type silicon samples have been irradiated by 6.6Â MeV electrons with fluence from 1 to 5 (Ã1016)Â e/cm2. Hall and magnetoresistivity measurement techniques were used to determine irradiation induced changes. The point defect coalescence was assumed to describe the behavior of the electrical parameters.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 338, 1 November 2014, Pages 95-100
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 338, 1 November 2014, Pages 95-100
نویسندگان
Algirdas Mekys, Vytautas Rumbauskas, Jurgis Storasta, Leonid Makarenko, Juozas Vidmantis Vaitkus,