کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8042425 | 1518702 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Surface modification of oxide layer on Si using highly charged ions
ترجمه فارسی عنوان
اصلاح سطح لایه اکسید روی سی با استفاده از یون های بسیار شارژ
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
چکیده انگلیسی
Surface modification using highly charged ions is presented. The surface of a Si wafer which is covered with a native oxide layer is used as a sample. The sample was irradiated with Ar11+ ions at a fluence of 1013-1014/cm2. The Ar11+ ions were obtained from an electron beam ion source (Kobe EBIS). The surface was investigated using secondary electron microscopy, X-ray photoelectron spectroscopy and high-resolution electron energy loss spectroscopy. The obtained results suggest that the native oxide layer is sputtered by the irradiation of Ar11+ ions and that the structural modification makes the density of the oxide layer lower and the electric conductivity higher.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 315, 15 November 2013, Pages 248-251
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 315, 15 November 2013, Pages 248-251
نویسندگان
M. Sakurai, S. Liu, S. Sakai, S. Ohtani, T. Terui, H.A. Sakaue,