کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
8042965 1518714 2013 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of silicon surface amorphization on single carbon atom deposition/implantation
ترجمه فارسی عنوان
اثرات انجماد سطحی سیلیکون بر رسوب / تکثیر اتم کربن تک کربن
کلمات کلیدی
دینامیک مولکولی، رسوب کربن، اثر کانالینگ، آمورف میدان نیروی واکنش پذیر،
ترجمه چکیده
همچنین مشاهده می شود که اتم های سیلیکون زیر کمپلکس در سطح آمورف تمایل دارند ضریب چسبندگی را افزایش دهند. این امر مخصوصا برای شرایطی است که در آن نسبت به بازده نسبتا بالا از انتشار اتم کربن بر روی سطح بلوری مشاهده می شود، به عنوان اتم های سیلیکونی زیر کمکی نقش تله ها را بازی می کنند، اتم های بیشتری را در سطح سیاره جذب می کنند تا اتم های سطح سیلیکون در مدل بلوری
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سطوح، پوشش‌ها و فیلم‌ها
پیش نمایش مقاله
اثرات انجماد سطحی سیلیکون بر رسوب / تکثیر اتم کربن تک کربن
چکیده انگلیسی
It is also observed that under-coordinated silicon atoms at the amorphous surface tend to increase the sticking coefficient. This holds particularly true for conditions where a relatively high backscattering yield of the carbon atom on the crystalline surface is observed, as the under-coordinated silicon atoms play the role of traps, catching more carbon atoms at the surface than the silicon surface atoms in the crystalline model.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 303, 15 May 2013, Pages 209-213
نویسندگان
, , ,