کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
8044007 1518915 2018 26 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
I-V model of nano nMOSFETs incorporating drift and diffusion current
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سطوح، پوشش‌ها و فیلم‌ها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
I-V model of nano nMOSFETs incorporating drift and diffusion current
چکیده انگلیسی
Because of the drawback of device model in nano short-channel devices, a novel concept is added into this model, including the contribution of surface diffusion current with an assumption, which is the total drive current only composed of surface drift current and surface diffusion current. The mixed current model in simulation and measurement demonstrates the more impressive performance for all channel lengths until 28-nm node.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 155, September 2018, Pages 76-82
نویسندگان
, , , , , ,