کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8044442 | 1518919 | 2018 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Origin of a continuously enlarge memristor effect in Nb inserted into MgB2 multilayer constructed heterojunctions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this work, a resistive switching memory device, in which niobium (Nb) inserted into magnesium diboride (MgB2) multilayer constructed heterojunctions, was prepared by vacuum sputtering at 400â¯Â°C. Furthermore, a continuously enlarge memristor memory effect was observed in Ti/(MgB2/Nb)n/MgB2/Ti (nâ¯=â¯0, 1, 2, 3) devices with the increasing of the inserted Nb layers numbers for the first time. Finally, a model of Schottky barrier based on interfaces of Ti/MgB2 and Nb/MgB2 are used to explain the memory characteristics.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 151, May 2018, Pages 261-265
Journal: Vacuum - Volume 151, May 2018, Pages 261-265
نویسندگان
Shouhui Zhu, Xuejiao Zhang, Bai Sun, Shuangsuo Mao, Pingping Zheng, Yong Zhao, Yudong Xia,