کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8044911 | 1518945 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Band alignment in ZrSiO4/ZnO heterojunctions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Band alignment in ZrSiO4/ZnO heterojunctions Band alignment in ZrSiO4/ZnO heterojunctions](/preview/png/8044911.png)
چکیده انگلیسی
We have measured the band offsets of sputtered ZrSiO4 on bulk ZnO wafers using X-Ray Photoelectron Spectroscopy and obtained the bandgaps of these two materials using reflection electron energy loss spectroscopy. The valence band offset was determined to be â0.60 eV ± 0.04 eV for ZrSiO4 on ZnO, while the respective bandgaps were 3.22 eV for ZnO and 5.9 eV for ZrSiO4. The conduction band offset for ZrSiO4/ZnO was then determined to be 3.28 eV. The ZrSiO4/ZnO system has a staggered, type II alignment. This means that while ZrSiO4 may be useful for surface passivation applications on ZnO, it is not suitable for thin film transistors where a positive valence band offset is needed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 125, March 2016, Pages 113-117
Journal: Vacuum - Volume 125, March 2016, Pages 113-117
نویسندگان
David C. Hays, B.P. Gila, S.J. Pearton, Byung-Jae Kim, F. Ren,