کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8145785 | 1524096 | 2018 | 18 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
ICP etching for InAs-based InAs/GaAsSb superlattice long wavelength infrared detectors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک اتمی و مولکولی و اپتیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this work, we study and report the dry etching processes for InAs-based InAs/GaAsSb strain-free superlattice long wavelength infrared (LWIR) detectors. The proper etching parameters were first obtained through the parametric studies of Inductively Coupled Plasma (ICP) etching of both InAs and GaSb bulk materials in Cl2/N2 plasmas. Then an InAs-based InAs/GaAsSb superlattice LWIR detector with PÏN structure was fabricated by using the optimized etching parameters. At 80â¯K, the detector exhibits a 100% cut-off wavelength of 12â¯Î¼m and a responsivity of 1.5â¯A/W. Moreover, the dark current density of the device under a bias of â200â¯mV reaches 5.5â¯Ãâ¯10â4â¯A/cm2, and the R0A is 15â¯Î©â¯cm2. Our results pave the way towards InAs-based superlattice LWIR detectors with better performances.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 90, May 2018, Pages 110-114
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 90, May 2018, Pages 110-114
نویسندگان
Min Huang, Jianxin Chen, Jiajia Xu, Fangfang Wang, Zhicheng Xu, Li He,