کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8146473 | 1524110 | 2016 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Extracting dark current components and characteristics parameters for InGaAs/InP avalanche photodiodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک اتمی و مولکولی و اپتیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The dark current of separate absorption grading charge multiplication (SAGCM) InGaAs/InP avalanche photodiodes has been numerical analyzed. SRH current, TAT current, BBT current and avalanche amplification combined together as the dark current have been extracted by simulation separately. The trend of punch-through voltage and breakdown voltage have been discussed, meanwhile the influence of structure parameters also has been investigated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 76, May 2016, Pages 468-473
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 76, May 2016, Pages 468-473
نویسندگان
Jiao Xu, Xiaoshuang Chen, Wenjuan Wang, Wei Lu,