کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8146513 | 1524110 | 2016 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low dark current P-InAsSbP/n-InAs/N-InAsSbP/n+-InAs double heterostructure back-side illuminated photodiodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک اتمی و مولکولی و اپتیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
P-InAsSbP/n-InAs/N-InAsSbP/n+-InAs double heterostructure photodiodes with linear impurity distribution in the space charge region have been fabricated and studied. The photodiodes showed good perspectives for use in low temperature pyrometry as low dark current (8·10â6 A/cm2, Vbias = â0.5 V, 164 K) and background limited infrared photodetector (BLIP) regime starting from 150 K (2Ï field of view, D3.1μmâ = 1.4·1012 cm Hz1/2/W) have been demonstrated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 76, May 2016, Pages 542-545
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 76, May 2016, Pages 542-545
نویسندگان
P.N. Brunkov, N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashev, N.G. Karpukhina, A.A. Lavrov, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', A.A. Usikova,