کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8147702 | 1524152 | 2018 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Exciton-phonon coupling channels in a 'strain-free' GaAs droplet epitaxy single quantum dot
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Exciton-phonon coupling channels in a 'strain-free' GaAs droplet epitaxy single quantum dot Exciton-phonon coupling channels in a 'strain-free' GaAs droplet epitaxy single quantum dot](/preview/png/8147702.png)
چکیده انگلیسی
We examine the temperature-dependent excitonic transition energy shift of strain-free GaAs droplet epitaxy (DE) quantum dots (QDs). Interestingly the statistical investigation of QD optical properties enables us to observe three distinct temperature dispersions for four series of DE QDs. We present comparative analyses of the exciton-phonon coupling mechanisms employing various empirical to multi-oscillator models associated with each QD-specific phonon dispersion spectrum. The systematic investigation of such QD exciton-phonon coupling is crucial for fine control of local defects in engineered quantum dot single-photon sources.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 18, Issue 7, July 2018, Pages 829-833
Journal: Current Applied Physics - Volume 18, Issue 7, July 2018, Pages 829-833
نویسندگان
Song-ee Lee, Inah Yeo, Min Kyung Jo, Young Woo Jeong, Tae Geun Kim, Jong Su Kim, Kyung Soo Yi, Il Ki Han, Jin Dong Song,