کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8155906 | 1524838 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Bias-voltage-controlled ac and dc magnetotransport phenomena in hybrid structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We report some ac and dc magnetotransport phenomena in silicon-based hybrid structures. The giant impedance change under an applied magnetic field has been experimentally found in the metal/insulator/semiconductor (MIS) diode with the Schottky barrier based on the Fe/SiO2/p-Si and Fe/SiO2/n-Si structures. The maximum effect is found to observe at temperatures of 10-30Â K in the frequency range 10Â Hz-1Â MHz. Below 1Â kHz the magnetoresistance can be controlled in a wide range by applying a bias to the device. A photoinduced dc magnetoresistance of over 104% has been found in the Fe/SiO2/p-Si back-to-back Schottky diode. The observed magnetic-field-dependent effects are caused by the interface states localized in the insula-tor/semiconductor interface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 383, 1 June 2015, Pages 69-72
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 383, 1 June 2015, Pages 69-72
نویسندگان
N.V. Volkov, A.S. Tarasov, D.A. Smolyakov, S.N. Varnakov, S.G. Ovchinnikov,