کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8156072 | 1524840 | 2015 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A device model framework for magnetoresistive sensors based on the Stoner-Wohlfarth model
ترجمه فارسی عنوان
یک چارچوب مدل دستگاه برای سنسورهای مغناطیسی بر اساس مدل استونر و ولففر
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
چکیده انگلیسی
The Stoner-Wohlfarth (SW) model provides an efficient analytical model to describe the behavior of magnetic layers within magnetoresistive sensors. Combined with a proper description of magneto-resistivity an efficient device model can be derived, which is necessary for an optimal electric circuit design. Parameters of the model are determined by global optimization of an application specific cost function which contains measured resistances for different applied fields. Several application cases are examined and used for validation of the device model.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 381, 1 May 2015, Pages 344-349
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 381, 1 May 2015, Pages 344-349
نویسندگان
Florian Bruckner, Bernhard Bergmair, Hubert Brueckl, Pietro Palmesi, Anton Buder, Armin Satz, Dieter Suess,