کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
8166727 1526239 2018 6 صفحه PDF سفارش دهید دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization of silicon photomultipliers and validation of the electrical model
ترجمه فارسی عنوان
خصوصیات فتومولتیپلرسهای سیلیکون و اعتباربخشی مدل الکتریکی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم ابزار دقیق
چکیده انگلیسی
This paper introduces a systematic way to measure most features of the silicon photomultipliers (SiPM). We implement an efficient two-laser procedure to measure the recovery time. Avalanche probability was found to play an important role in explaining the right behavior of the SiPM recovery process. Also, we demonstrate how equivalent circuit parameters measured by optical tests can be used in SPICE modeling to predict details of the time constants relevant to the pulse shape. The SiPM properties measured include breakdown voltage, gain, diode capacitor, quench resistor, quench capacitor, dark count rate, photodetection efficiency, cross-talk and after-pulsing probability, and recovery time. We apply these techniques on the SiPMs from two companies: Hamamatsu and SensL.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 887, 11 April 2018, Pages 144-149
نویسندگان
, , , ,
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت