کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8172427 | 1526330 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Measurements of the reverse current of highly irradiated silicon sensors
ترجمه فارسی عنوان
اندازه گیری جریان معکوس سنسورهای سیلیکون بسیار پرتوزا
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
سنسورهای سیلیکون، محیط تابش بالا، اندازه گیری جریان معکوس، میزان خسارت جاری فعلی، انرژی موثر،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
ابزار دقیق
چکیده انگلیسی
Miniature micro-strip sensors (â1Ã1 cm2) were irradiated with protons to fluences from 1Ã1012 to 1Ã1015 neq/cm2 and with neutrons from 5Ã1015 to 2Ã1016 neq/cm2 to investigate the reverse current at higher fluences. Precise temperature and current measurements of sensors from Hamamatsu Photonics K.K. (293 μm thick) and Micron Semiconductor Ltd. (143 μm and 108 μm thick) were carried out. The sensors were measured shortly after irradiation and after room temperature annealing. These measurements allow the determination of the evolution of Eeff. Instead of α the geometric current related damage rate αâ is used, which depends on the geometric thickness rather than the depletion depth. For low fluences they are in good agreement while for high fluences αâ is smaller.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 796, 1 October 2015, Pages 126-130
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 796, 1 October 2015, Pages 126-130
نویسندگان
Sven Wonsak, A. Affolder, G. Casse, P. Dervan, I. Tsurin, M. Wormald,