کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8173334 | 1526341 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The effect of humidity on reverse breakdown in 3D silicon sensors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
ابزار دقیق
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The effect of humidity on reverse breakdown in silicon sensors of the “3D” geometry is studied for unirradiated and irradiated samples exposed to fluences relevant to the environment of the High Luminosity Large Hadron Collider. Leakage currents are measured and breakdown voltages are compared for a range of relative humidities and bias voltages. The proton beam at LANSCE, Los Alamos National Laboratory, was used to irradiate samples with 800Â MeV protons up to 2Ã1016p/cm2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 785, 11 June 2015, Pages 1-4
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 785, 11 June 2015, Pages 1-4
نویسندگان
H. McDuff, M.R. Hoeferkamp, S. Seidel, R. Wang, C.J. Kenney, J. Hasi, S.I. Parker,